[发明专利]声表面波器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510746144.6 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN105577136B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李勋龙 | 申请（专利权）人： | 天津威盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/64 | 分类号： | H03H9/64;H03H3/02 |
| 代理公司： | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人： | 朱健;陈国军 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种声表面波器件及其制造方法，更为详细地，涉及一种声表面波器件和声表面波器件的制造方法，所述声表面波器件包括：压电体基板；多个IDT电极，其形成于所述压电体基板上面；多个共振器电极，其形成于所述压电体基板上面；用于配线的金属层，其形成为配线区域，以便对所述多个IDT电极和所述多个共振器电极进行电连接；绝缘层，其形成于所述压电体基板、所述多个IDT电极、所述多个共振器电极、所述用于配线的金属层的上面。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波器件，包括：压电体基板；多个IDT电极，其形成于所述压电体基板上面；多个共振器电极，其形成于所述压电体基板上面；用于配线的金属层，其形成为配线区域，以便对所述多个IDT电极和所述多个共振器电极进行电连接；绝缘层，其形成于所述压电体基板、所述多个IDT电极、所述多个共振器电极、所述用于配线的金属层的上面所述用于配线的金属层在形成配线区域时包围所述多个共振器电极，并以所述压电体基板和用于配线的金属层直接接触的形式形成。
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