[发明专利]一种高速激光器芯片制作方法和装置有效
申请号: | 201510746784.7 | 申请日: | 2015-11-06 |
公开(公告)号: | CN105470812B | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | 罗飚;王任凡;刘应军;汤宝 | 申请(专利权)人: | 武汉电信器件有限公司 |
主分类号: | H01S5/223 | 分类号: | H01S5/223 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 张瑾;程殿军 |
地址: | 430074 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于激光器技术领域,尤其涉及一种高速激光器芯片的制作方法和装置,所述方法包括:获取外延片结构中由表层到第一腐蚀停止层的厚度参数;根据所述厚度参数设置对应所述激光测距器的响应阈值;将所述外延片置于托盘指定位置;在启动腐蚀过程后,所述外延片由所述托盘托举着沉浸到所述腐蚀液中;在所述激光测距器监测到外延片腐蚀区中心厚度达到响应阈值时,触发完成将所述外延片托举出腐蚀液的操作过程。通过一种携带伺服系统的腐蚀控制装置,利用激光的测距功能,监测腐蚀区中心厚度是否达到响应阈值,来判断是否完成腐蚀阶段。该方法能够基于获取的激光器芯片制造的相关参数,有效的适应各种激光器芯片的脊波导结构生成。 | ||
搜索关键词: | 一种 高速 激光器 芯片 制作方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种高速激光器芯片的制作方法,其特征在于,所述方法包括:获取外延片结构中由表层到第一腐蚀停止层的厚度参数;根据所述厚度参数设置对应所述激光测距器的响应阈值;将所述外延片置于托盘指定位置;在启动腐蚀过程后,所述外延片由所述托盘托举着沉浸到所述腐蚀液中;在所述激光测距器监测到外延片腐蚀区中心厚度达到响应阈值时,触发完成将所述外延片托举出腐蚀液的操作过程。
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