[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510750308.2 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN105590924B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 全炫锡;朴钟宇;朴哲镛;尹贞元 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L23/522 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 王新华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本公开提供了半导体器件。半导体器件包括：在基板上的层间绝缘层；第一电容器结构，在层间绝缘层中；以及导电层，包括在层间绝缘层上的端子焊盘。第一电容器结构包括至少一个第一叠层，该至少一个第一叠层包括顺序地在基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极。端子焊盘不与第一电容器结构交叠。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n在基板上的层间绝缘层；/n第一电容器结构，在所述层间绝缘层中并且包括通孔，其中所述第一电容器结构包括至少一个第一叠层，所述至少一个第一叠层包括顺序地在所述基板上的第一下电极、第一电容器绝缘层和第一上电极；以及/n导电层，包括在所述层间绝缘层上的端子焊盘，所述端子焊盘不与所述第一电容器结构交叠，所述端子焊盘在平面图上位于所述通孔内。/n
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