[发明专利]一种双重曝光工艺

摘要

本发明涉及半导体集成电路制造技术领域，尤其涉及一种双重曝光工艺，通过采用APF作为第一层掩膜，非晶硅作为第二层掩膜，由于非晶硅具有良好的台阶覆盖性能，并具有较小的内应力，以及很高的刻蚀选择比，能够很好地定义从第一层APF传递过来的CD，确保采用同样的光刻设备可以使线宽缩小一倍，同一片晶圆上的芯片数量同样可以提高一倍。

主权项

一种双重曝光工艺，其特征在于，包括：提供一表面覆盖有待刻蚀薄膜的半导体衬底；制备第一薄膜覆盖所述待刻蚀薄膜；于所述第一薄膜上制备具有第一图形的光阻；以所述光阻为掩膜刻蚀所述第一薄膜至所述待刻蚀薄膜的表面，以形成具有所述第一图形的第一硬掩膜；沉积第二薄膜覆盖所述第一硬掩膜和所述光阻暴露的表面，且所述第二薄膜还将所述待刻蚀薄膜的表面予以覆盖；去除覆盖所述光阻和部分覆盖所述待刻蚀薄膜表面的所述第二薄膜，以形成覆盖所述第一硬掩膜侧壁的具有第二图形的第二硬掩膜；去除所述光阻，并以所述第一硬掩膜和所述第二硬掩膜为掩膜对所述待刻蚀薄膜进行第一次刻蚀工艺；去除所述第一硬掩膜，并以所述第二硬掩膜为掩膜继续对所述待刻蚀薄膜进行第二次刻蚀工艺。