[发明专利]具有亮点缺陷的像素的修复方法、阵列基板及液晶面板有效

专利信息
申请号: 201510760127.8 申请日: 2015-11-10
公开(公告)号: CN105425433B 公开(公告)日: 2018-10-30
发明(设计)人: 阙祥灯 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1362;H01L27/12
代理公司: 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 代理人: 孙伟峰;武岑飞
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种具有亮点缺陷的像素的修复方法,其包括:在过孔中打点熔融,使像素电极(113)与薄膜晶体管的漏电极(112b)连接接触;将连续的公共电极(130)切断分离,以使位于开关区域(10a)的公共电极(130)和位于像素区域(10b)的公共电极(130)彼此分离;将位于公共电极(130)的切断分离处之上的像素电极(113)去除,且使位于开关区域(10a)的像素电极(113)和位于像素区域(10b)的像素电极(113)彼此连接。本发明还提供了一种阵列基板及液晶面板。本发明通过将位于开关区域和位于像素区域中的公共电极切断分离,从而消除像素的亮点缺陷,并且将具有亮度缺陷的像素修复成能够正常发光的像素。
搜索关键词: 具有 亮点 缺陷 像素 修复 方法 阵列 液晶面板
【主权项】:
1.一种具有亮点缺陷的像素的修复方法,所述像素设置在开关区域(10a)及位于所述开关区域(10a)一侧的像素区域(10b)中;所述像素包括:在所述开关区域(10a)和所述像素区域(10b)中形成的连续的公共电极(130);在所述开关区域(10a)中形成的且位于所述公共电极(130)之上的薄膜晶体管;在所述开关区域(10a)和所述像素区域(10b)形成的且覆盖薄膜晶体管的钝化层以及在位于所述开关区域(10a)中的所述钝化层中形成的过孔;在所述像素区域(10b)和所述开关区域(10a)中形成的且位于所述钝化层之上的像素电极(113);其特征在于,所述修复方法包括:在所述过孔中打点熔融,使所述像素电极(113)与所述薄膜晶体管的漏电极(112b)连接接触;将所述连续的公共电极(130)切断分离,以使位于所述开关区域(10a)的公共电极(130)和位于所述像素区域(10b)的公共电极(130)彼此分离;将位于所述公共电极(130)的切断分离处之上的像素电极(113)去除,且使位于所述开关区域(10a)的像素电极(113)和位于所述像素区域(10b)的像素电极(113)彼此连接,同时使剩余的像素电极(113)与所述漏电极(112b)连接,从而将所述具有亮点缺陷的像素形成为不具有存储电容器的像素。
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