[发明专利]半导体封装件及其形成方法有效
| 申请号： | 201510760391.1 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105679718B | 公开（公告）日： | 2018-07-10 |
| 发明（设计）人： | 余振华;刘重希;林志伟;郭宏瑞;郑明达;胡毓祥 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/538;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件和用于形成半导体器件的方法。该半导体器件包括具有邻近集成电路管芯的通孔的集成电路，其中，模塑料插入在集成电路管芯和通孔之间。通孔具有延伸穿过图案化层并且从图案化层突出以暴露出锥形的侧壁的突出件。本发明实施例涉及半导体封装件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 通孔 半导体封装件 集成电路管芯 图案化层 延伸穿过 模塑料 突出件 侧壁 集成电路 邻近 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在载体衬底上形成第一介电层；在所述第一介电层中形成第一开口；沿着所述第一介电层的顶面、所述第一开口的侧壁和所述第一开口的底部形成一个或多个晶种层；在所述一个或多个晶种层上形成通孔，所述通孔延伸至所述第一开口内；在所述第一介电层的第一表面上方放置半导体管芯，所述半导体管芯设置在所述通孔之间，其中，所述半导体管芯具有远离所述第一表面的管芯连接件；邻近所述通孔和所述半导体管芯的侧壁形成模塑料；平坦化所述模塑料，使得所述模塑料的顶面与所述通孔的顶面和所述管芯连接件的顶面共平面；在平坦化所述模塑料之后，去除所述载体衬底；去除所述一个或多个晶种层的至少部分以暴露出所述通孔的顶部；以及去除所述第一介电层的部分以暴露出所述通孔的侧壁的部分。
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