[发明专利]立式III-V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201510763100.4 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN105405745B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 潘东;赵建华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，包括：步骤(a)：在半导体衬底上制备用于催化纳米线生长的多个金属催化剂颗粒；步骤(b)：在半导体衬底上利用金属催化剂颗粒催化生长III‑V族半导体纳米线，该金属催化剂颗粒位于III‑V族半导体纳米线的顶端；步骤(c)：在III‑V族半导体纳米线的轴向上外延立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜，完成制备。本发明很容易实现立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的大批量生产，可以大大节约III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体单晶薄膜 锑化物 金属催化剂颗粒 制备 半导体纳米线 衬底 半导体 催化纳米 生长 催化 生产成本 节约 生产 | ||
【主权项】：
1.一种立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜的制备方法，包括：步骤(a)：在半导体衬底上制备用于催化纳米线生长的多个金属催化剂颗粒；步骤(b)：在半导体衬底上利用金属催化剂颗粒催化生长III‑V族半导体纳米线，该金属催化剂颗粒位于III‑V族半导体纳米线的顶端；步骤(c)：在III‑V族半导体纳米线的轴向上外延立式III‑V族锑化物半导体单晶薄膜，完成制备。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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