[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201510764946.X 申请日: 2015-11-10
公开(公告)号: CN105655318B 公开(公告)日: 2020-02-28
发明(设计)人: 泷泽直树 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/31;H01L21/60
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 金玉兰;王颖
地址: 日本神奈*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种在具备由外部端子(12)和与该外部端子的连接部(40)连接的内部端子(11)构成的外部输出端子的半导体装置中,在切开该内部端子和端子连结部时,抑制了在内部端子下产生间隙的半导体装置及其制造方法。通过在内部端子(11)的前端(11a)附近形成与水平树脂部(14)相连的树脂固定部(18),在切断内部端子(11)和端子连结部(21)时,能够抑制在内部端子(11)下方产生间隙。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,在具有端子壳体的半导体装置中,具备:外部输出端子,由外部端子和与该外部端子的连接部连接的内部端子构成;上侧的垂直树脂部,固定有所述外部端子;水平树脂部,与该上侧的垂直树脂部连接,并在槽内埋设所述内部端子;和下侧的垂直树脂部,与该水平树脂部连接,其中,所述内部端子的上表面的一部分被与所述水平树脂部连接的树脂固定部覆盖,与所述连接部侧相反一侧的内部端子的长边方向的前端面是露出的截面。
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