[发明专利]基板处理装置

摘要

本申请提供一种基板处理装置，包括：载置台，其用于载置基板(W)，并以轴线(X)为中心进行旋转；天线，其设于第1区域；以及反应气体供给部，其用于向第1区域供给反应气体。反应气体供给部具有内侧喷射口和外侧喷射口。内侧喷射口在从轴线(X)的方向观察时设置在比天线的区域靠近轴线(X)的位置，并向远离轴线(X)的方向喷射反应气体。外侧喷射口在从轴线(X)的方向观察时设置在比天线的区域远离轴线(X)的位置，并向靠近轴线(X)的方向喷射被与从内侧喷射口喷射的反应气体的流量独立地控制的流量的反应气体。

主权项

1.一种基板处理装置，其中，该基板处理装置包括：载置台，其用于载置被处理基板，设置为能够以轴线为中心进行旋转，以使得所述被处理基板在所述轴线的周围移动；天线，其设于等离子体处理区域，该等离子体处理区域是利用所述载置台的旋转相对于所述轴线沿周向移动的所述被处理基板所依次通过的多个区域中的一个区域；以及气体供给部，其用于向所述等离子体处理区域供给反应气体；所述气体供给部具有：内侧喷射口，在从所述轴线的方向观察时，该内侧喷射口设置在比所述天线靠近所述轴线的位置，并向远离所述轴线的方向喷射反应气体；以及外侧喷射口，在从所述轴线的方向观察时，该外侧喷射口设置在比所述天线远离所述轴线的位置，并向靠近所述轴线的方向喷射被与从所述内侧喷射口喷射的反应气体的流量独立地控制的流量的反应气体，其中，所述内侧喷射口和所述外侧喷射口在从所述轴线的方向观察时朝向设有所述天线的区域喷射反应气体，其中，所述内侧喷射口将借助第一阀和第一流量控制部从气体供给源供给的反应气体朝向远离所述轴线的方向喷射，所述外侧喷射口将借助第二阀和第二流量控制部从所述气体供给源供给的反应气体朝向靠近所述轴线的方向，从所述内侧喷射口和所述外侧喷射口喷射的反应气体的流量由所述第一流量控制部和所述第二流量控制部分别独立地控制。