[发明专利]半导体到金属的过渡有效
| 申请号： | 201510774075.X | 申请日： | 2015-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN105609547B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | A.赫特尔;F.希勒;F.J.桑托斯罗德里格斯;D.施勒格尔;A.R.施特格纳;C.魏斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/45 | 分类号： | H01L29/45;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体到金属的过渡。提出了一种半导体器件（1）。半导体器件（1）包括扩散阻挡层（11）、具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区（12）和具有第二电荷载流子的第二半导体区（13）。第一半导体区（12）包含：与第二半导体区（13）接触的过渡区（123），过渡区（123）具有第一浓度的第一电荷载流子；与扩散阻挡层（11）接触的接触区（121），接触区（121）具有第二浓度的第一电荷载流子，其中，第二浓度高于第一浓度；在接触区（121）和过渡区（123）之间的损伤区（122），损伤区（122）被配置用于与接触区（121）和过渡区（123）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低损伤区（122）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 金属 过渡 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件（1），包括扩散阻挡层（11）、具有第一导电类型的第一电荷载流子的第一半导体区（12）和具有第二电荷载流子的第二半导体区（13）；其中，所述第一半导体区（12）包含：与所述第二半导体区（13）接触的过渡区（123），所述过渡区（123）具有第一浓度的所述第一电荷载流子；与所述扩散阻挡层（11）接触的接触区（121），所述接触区（121）具有第二浓度的所述第一电荷载流子，其中，所述第二浓度高于所述第一浓度；在所述接触区（121）和所述过渡区（123）之间的损伤区（122），所述损伤区（122）被配置用于与所述接触区（121）和所述过渡区（123）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率相比，降低所述损伤区（122）的第一电荷载流子的寿命和/或迁移率。
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