[发明专利]薄膜电阻器及其制备方法有效
| 申请号： | 201510781228.3 | 申请日： | 2015-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN105355349B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 李国贵;林伯流;范文新;杨泽明;林瑞芬;张远生;杨晓平 | 申请（专利权）人： | 广东风华高新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01C7/00 | 分类号： | H01C7/00;H01C17/075;H01C17/12;H01C17/14 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 生启 |
| 地址： | 526020 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜电阻器及其制备方法。该薄膜电阻器包括绝缘基板，表面形成有两个相互间隔的表电极；电阻层，形成于所述绝缘基板的表面、与两个所述表电极连接且覆盖所述表电极的部分表面；薄膜介质层，覆盖所述电阻层的表面，所述薄膜介质层的材料为二氧化硅、氮化硅、钽硅合金、钛硅合金及铝硅合金中的至少一种；保护层，完全覆盖所述薄膜介质层的表面且延伸到所述绝缘基板及所述表电极的表面。这种薄膜电阻器的防潮性能较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 电阻器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜电阻器，其特征在于，包括：绝缘基板，表面形成有两个相互间隔的表电极；电阻层，形成于所述绝缘基板的表面、与两个所述表电极连接且覆盖所述表电极的部分表面；薄膜介质层，覆盖所述电阻层的表面，所述薄膜介质层的材料为钽硅合金、钛硅合金及铝硅合金中的至少一种；保护层，完全覆盖所述薄膜介质层的表面且延伸到所述绝缘基板及所述表电极的表面；所述电阻层及所述薄膜介质层采用蒸镀、磁控溅射、化学气相沉积或等离子增强型化学气相沉积制备。
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