[发明专利]一种基于ZQ管脚的DRAM DDR校准电路及方法

摘要

本发明涉及一种基于ZQ管脚的DRAM DDR校准电路及方法，其中电路包括PMOS管组、比较器、参考电压提供电路以及ZQ管脚判断控制模块，参考电压提供电路产生参考电压，PMOS管组中最小尺寸的PMOS管分成了N个，使得PMOS管组的阻值大于ZQ管脚提供参考电阻RZQ的8‑12倍，ZQ管脚判断控制模块包括状态判断模块，PMOS管组位于外部电源VDD与ZQ管脚之间，比较器的负相输入端接参考电平，状态判断模块根据比较结果判断ZQ管脚的使用状态。为了解决现有的判断ZQ管脚使用状态的方法存在误判的技术问题，本发明是在现有的ZQ管脚使用状态校准电路中不用增加任何硬件，没有提供翻倍的面积和功耗去换取更大的对比范围。

主权项

1.一种DRAM DDR ZQ管脚使用状态的检测电路，包括PMOS管组、比较器、参考电压提供电路以及ZQ管脚判断控制模块，所述参考电压提供电路产生参考电压VDD/2，其特征在于：PMOS管组中最小尺寸的PMOS管分成了N个，使得PMOS管组的阻值大于ZQ管脚提供参考电阻RZQ的8‐12倍，所述ZQ管脚判断控制模块包括状态判断模块，所述PMOS管组的一端接外部电源VDD，所述PMOS管组的另一端与ZQ管脚连接后与比较器的正相输入端连接，所述比较器的负相输入端接参考电平，所述比较器的输出端输出比较结果给状态判断模块，所述状态判断模块根据比较结果判断ZQ管脚的使用状态；所述ZQ管脚判断控制模块还包括使能产生模块，所述使能产生模块与PMOS管组的控制端连接。