[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510795235.9 | 申请日： | 2015-11-18 |
| 公开（公告）号： | CN105633085B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 俞在炫;卢镇铉;金寿台;李炳烈;张成熏;全钟声 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L29/94;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体器件包括：基板，该基板包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，至少一个第二杂质扩散区被所述第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对第一杂质扩散区域和至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在第一杂质扩散区域与至少一个电极之间以及在至少一个第二杂质扩散区域与至少一个电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板，包括具有第一掺杂浓度的第一杂质扩散区域和具有不同于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的至少一个第二杂质扩散区域，所述至少一个第二杂质扩散区被所述第一杂质扩散区域围绕；至少一个电极，面对所述第一杂质扩散区域和所述至少一个第二杂质扩散区域；和至少一个绝缘层，在所述第一杂质扩散区域与所述至少一个电极之间以及在所述至少一个第二杂质扩散区域与所述至少一个电极之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
