[发明专利]化合物半导体薄膜结构有效
| 申请号： | 201510800407.7 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN106611810B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 杨仲杰 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种化合物半导体薄膜结构，包括基材、第一化合物半导体外延层以及第二化合物半导体外延层。基材具有一个顶部平面。第一化合物半导体外延层形成于顶部平面上，且具有一个位于第一化合物半导体外延层面对顶部平面的相反一侧的外延界面，以及至少一个位于第一化合物半导体外延层之中的凹室。第二化合物半导体外延层形成于外延界面上。其中，顶部平面与凹室底部之间的距离，实质介于0.8微米(μm)至1.3微米之间。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 薄膜 结构 | ||
【主权项】：
一种化合物半导体薄膜结构，包括：基材，具有一顶部平面；第一化合物半导体外延层，形成于该顶部平面上，且具有一外延界面位于该第一化合物半导体外延层面对该顶部平面的相反一侧，以及至少一凹室位于该第一化合物半导体层之中；以及第二化合物半导体外延层，形成于该外延界面上；其中该顶部平面与该至少一凹室的一底部之间，具有实质介于0.8微米(μm)至1.3微米的一距离。
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