[发明专利]一种高速激光器芯片结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201510800418.5 | 申请日： | 2015-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN105428992B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 罗飚;刘应军;王任凡;汤宝 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾;程殿军 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于激光器技术领域，尤其涉及一种高速激光器芯片结构，包括：一衬底；一缓冲层；一第一渐变限制层；一腐蚀停止层3；一第一波导层4；一第二限制层5；一第一量子阱垒层6；一量子阱有源层7；一第二量子阱垒层8；一第二波导层9；一光栅层10；一第三渐变限制层11；一欧姆接触层12；一绝缘介质层13；一P型上电极14；一N型下电极15。本发明重新设计腐蚀层的结构位置，与传统比较，漏电流会减少，电容也会相应减少，对整个高速激光器的光电特性有明显提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高速 激光器 芯片 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种高速激光器芯片结构，其特征在于，包括腐蚀停止层(3)，具体的：所述腐蚀停止层(3)位于第一渐变限制层(2)和第一波导层(4)之间；其中，所述第一渐变限制层(2)位于缓冲层(1)上，所述缓冲层位于衬底(0)上。
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