[发明专利]半导体存储装置

摘要

一种半导体存储装置，具有使用可变电阻元件的至少一个存储单元，以及控制存储单元的写入和读取的控制电路。通过控制电路实现的操作包括第一写入操作，第二写入操作以及重写操作。第一写入操作是用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的写入操作。第二写入操作是用于将与第一极性相反的第二极性的第二电压施加至存储单元的写入操作。重写操作是在第一写入操作失败时，用于进一步执行用于将第二极性的第二电压施加至存储单元的第二A写入操作以及用于将第一极性的第一电压施加至存储单元的第一A写入操作的写入操作。

主权项

一种半导体存储装置，包括：使用可变电阻元件的至少一个存储单元；以及控制向所述存储单元写入和从所述存储单元读取的控制电路，所述半导体存储装置通过所述控制电路使得以下操作得以执行：用于将第一极性的第一电压施加至所述存储单元的第一写入操作，用于将与所述第一极性相反的第二极性的第二电压施加至所述存储单元的第二写入操作，以及当所述第一写入操作失败时，用于进一步执行第二A写入操作和第一A写入操作的重写操作，所述第二A写入操作用于将所述第二极性的所述第二电压施加至所述存储单元，所述第一A写入操作用于将所述第一极性的所述第一电压施加至所述存储单元。