[发明专利]一种无色硬质AR膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510808227.3 申请日: 2015-11-19
公开(公告)号: CN105487143B 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: 周群飞;饶桥兵;朱斌 申请(专利权)人: 蓝思科技(长沙)有限公司
主分类号: G02B1/115 分类号: G02B1/115;G02B1/14
代理公司: 长沙市融智专利事务所43114 代理人: 魏娟
地址: 410311 湖南省长*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明公开了一种无色硬质AR膜及其制备方法,无色硬质AR膜是由Si3N4膜层和SiO2膜层交替循环叠加构成的复合膜;其制备方法是通过蒸发镀膜法或溅射镀膜法在基底表面反复交替镀Si3N4膜层和SiO2膜层,即得AR膜,该AR膜具有高透过率、高硬度、颜色接近自然色等特点,且制备方法简单、高效、低成本,满足工业生产要求。
搜索关键词: 一种 无色 硬质 ar 及其 制备 方法
【主权项】:
一种无色硬质AR膜的制备方法,其特征在于:通过溅射镀膜法在基底表面反复交替镀Si3N4膜层和SiO2膜层得到由Si3N4膜层和SiO2膜层交替循环叠加构成的复合膜;溅射镀膜法镀Si3N4膜层的工艺参数为:真空度:5.0×10‑3Pa~2.0×10‑4Pa;以硅为靶材,硅靶材的溅射功率:5000~9000W;Ar的流量:50~250sccm,N2的流量:50~250sccm;自由基源的功率:2000~5000W;溅射镀膜法镀SiO2膜层的工艺参数为:真空度:5.0×10‑3Pa~2.0×10‑4Pa,以硅为靶材;硅靶材的溅射功率:5000~9000W;Ar的流量:50~250sccm,O2的流量:50~250sccm;自由基源的功率:2000~5000W;所述的基底在镀膜之前进行RF预处理,RF预处理的相关工艺参数为:真空度:5.0×10‑3Pa~2.0×10‑4Pa;自由基源的功率:2000~5000W,O2:50~250sccm;时间:120~360s;Si3N4膜层和SiO2膜层的总层数为5~11层;所述的复合膜厚度为250nm~500nm;所述的复合膜于可见光波段420~680nm单面透过率平均值大于94.5%。
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