[发明专利]一种无色硬质AR膜及其制备方法有效
申请号: | 201510808227.3 | 申请日: | 2015-11-19 |
公开(公告)号: | CN105487143B | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 周群飞;饶桥兵;朱斌 | 申请(专利权)人: | 蓝思科技(长沙)有限公司 |
主分类号: | G02B1/115 | 分类号: | G02B1/115;G02B1/14 |
代理公司: | 长沙市融智专利事务所43114 | 代理人: | 魏娟 |
地址: | 410311 湖南省长*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种无色硬质AR膜及其制备方法,无色硬质AR膜是由Si3N4膜层和SiO2膜层交替循环叠加构成的复合膜;其制备方法是通过蒸发镀膜法或溅射镀膜法在基底表面反复交替镀Si3N4膜层和SiO2膜层,即得AR膜,该AR膜具有高透过率、高硬度、颜色接近自然色等特点,且制备方法简单、高效、低成本,满足工业生产要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 无色 硬质 ar 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种无色硬质AR膜的制备方法,其特征在于:通过溅射镀膜法在基底表面反复交替镀Si3N4膜层和SiO2膜层得到由Si3N4膜层和SiO2膜层交替循环叠加构成的复合膜;溅射镀膜法镀Si3N4膜层的工艺参数为:真空度:5.0×10‑3Pa~2.0×10‑4Pa;以硅为靶材,硅靶材的溅射功率:5000~9000W;Ar的流量:50~250sccm,N2的流量:50~250sccm;自由基源的功率:2000~5000W;溅射镀膜法镀SiO2膜层的工艺参数为:真空度:5.0×10‑3Pa~2.0×10‑4Pa,以硅为靶材;硅靶材的溅射功率:5000~9000W;Ar的流量:50~250sccm,O2的流量:50~250sccm;自由基源的功率:2000~5000W;所述的基底在镀膜之前进行RF预处理,RF预处理的相关工艺参数为:真空度:5.0×10‑3Pa~2.0×10‑4Pa;自由基源的功率:2000~5000W,O2:50~250sccm;时间:120~360s;Si3N4膜层和SiO2膜层的总层数为5~11层;所述的复合膜厚度为250nm~500nm;所述的复合膜于可见光波段420~680nm单面透过率平均值大于94.5%。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于蓝思科技(长沙)有限公司,未经蓝思科技(长沙)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510808227.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。