[发明专利]一种中空halbach取向钕铁硼磁体有效
| 申请号： | 201510815050.X | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105427991A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 王海涛 | 申请（专利权）人： | 宁波尼兰德磁业有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02 |
| 代理公司： | 宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙) 33243 | 代理人： | 张向飞 |
| 地址： | 315145 浙江省宁*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的中空halbach取向钕铁硼磁体，包括本体，本体为块状，本体内部设置有至少3个孔洞，孔洞包括至少两条蛇形孔道和至少一条直形孔道，其中蛇形孔道相互缠绕，相邻孔洞间壁厚大于等于0.01mm，孔洞结构区域占本体总体积的10-25％，本体具有磁化区，磁化区至少部分的磁场方向按照halbach阵列取向，磁化区的halbach阵列取向所形成的增强磁场在本体的外部。本发明通过结合磁体中的局部中空结构以及halbach阵列取向，以在降低磁体平均密度，调整重心的同时，避免场强性能的降低，从而提高应用的效率与便利性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 halbach 取向 钕铁硼 磁体 | ||
【主权项】：
一种中空halbach取向钕铁硼磁体，包括本体，其特征在于：所述本体为块状，所述本体内部设置有至少3个孔洞，所述孔洞包括至少两条蛇形孔道和至少一条直形孔道，其中蛇形孔道相互缠绕，相邻孔洞间壁厚大于等于0.01mm，孔洞结构区域占本体总体积的10‑25％，所述本体具有磁化区，所述磁化区至少部分的磁场方向按照halbach阵列取向，所述磁化区的halbach阵列取向所形成的增强磁场在本体的外部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波尼兰德磁业有限公司，未经宁波尼兰德磁业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510815050.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
