[发明专利]多比特熔断式印刷存储单元及其写入方法有效
| 申请号： | 201510817218.0 | 申请日： | 2015-11-23 |
| 公开（公告）号： | CN105469830A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 郭小军;王若琳;李乔峰;李巍 | 申请（专利权）人： | 常州印刷电子产业研究院有限公司 |
| 主分类号： | G11C17/16 | 分类号： | G11C17/16;G11C17/18 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 213022 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种多比特熔断式印刷存储单元及其写入方法，其中，多比特熔断式印刷存储单元包括印刷在电极之间的电阻线组，所述电阻线组包括若干并联的电阻线且若干电阻线的熔断电压不同。本发明的实施例具有易于加工同时又具有良好稳定性以及高存储容量的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 比特 熔断 印刷 存储 单元 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
一种多比特熔断式印刷存储单元，其特征在于，包括：印刷在电极之间的电阻线组，所述电阻线组包括若干并联的电阻线且若干电阻线的熔断电压不同。
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