[发明专利]形成背接触太阳能电池触点的方法

摘要

本发明描述了形成背接触太阳能电池触点的方法。在一个实施例中，方法包括在基板上形成薄介电层，在所述薄介电层上形成多晶硅层，在所述多晶硅层上形成并图案化固态p型掺杂剂源，在所述多晶硅层的暴露区域上以及多个固态p型掺杂剂源区域上形成n型掺杂剂源层，以及加热所述基板以在多个p型掺杂的多晶硅区域中提供多个n型掺杂的多晶硅区域。

主权项

一种太阳能电池，包括：形成在基板上的介电层；在多个包含p型掺杂剂的硅区域之间形成的多个包含n型掺杂剂的硅区域；在所述多个包含n型掺杂剂的硅区域和部分基板中形成的沟槽，其中所述沟槽形成在所述多个包含n型掺杂剂的硅区域和所述多个包含p型掺杂剂的硅区域之间；以及与所述多个包含n型掺杂剂的硅区域和所述多个包含p型掺杂剂的硅区域接触的导电触点。