[发明专利]阵列基板、显示器及阵列基板的制备方法在审
申请号: | 201510833783.6 | 申请日: | 2015-11-25 |
公开(公告)号: | CN105304652A | 公开(公告)日: | 2016-02-03 |
发明(设计)人: | 刘洋 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;H01L29/786;H01L21/34 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板包括基板、栅极、栅极绝缘层、有源层图形、源极、漏极、第一覆盖层及钝化层,所述栅极设置在所述基板的一个表面上;所述栅极绝缘层覆盖所述栅极上;所述有源层图形覆盖在所述栅极绝缘层上;所述源极及漏极设置于所述有源层图形上,且分别位于所述栅极的两侧;所述第一覆盖层设置于所述有源层图形上,且与所述有源层图形电连接,所述第一覆盖层未与所述源极及漏极接触;其中,所述第一覆盖层的金属材质比所述有源层图形中的金属材质活泼;所述钝化层覆盖在所述第一覆盖层、源极、漏极及有源层图形上。本发明提供了阵列基板的稳定性,使阵列基板具有较高的器件性能。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示器 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括呈矩阵分布的多个金属氧化物半导体薄膜晶体管,所述金属氧化物半导体薄膜晶体管包括:基板;栅极,所述栅极设置在所述基板的一个表面上;栅极绝缘层,所述栅极绝缘层覆盖所述栅极上;有源层图形,所述有源层图形覆盖在所述栅极绝缘层上;源极及漏极,所述源极及漏极设置于所述有源层图形上,且分别位于所述栅极的两侧;第一覆盖层,所述第一覆盖层设置于所述有源层图形上,且与所述有源层图形电连接,所述第一覆盖层未与所述源极及漏极接触;其中,所述第一覆盖层的金属材质比所述有源层图形中的金属材质活泼;钝化层,所述钝化层覆盖在所述第一覆盖层、源极、漏极及有源层图形上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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