[发明专利]半导体芯片在审
申请号: | 201510846568.X | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN105655330A | 公开(公告)日: | 2016-06-08 |
发明(设计)人: | H·吉勒;R·普雷斯尔 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/10 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 郑立柱 |
地址: | 德国诺伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 各种实施例涉及半导体芯片。根据各种实施例,一种半导体芯片可以包括:包括第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体区域;用于检测到半导体本体区域中的裂纹传播的电容性结构;其中电容性结构可以包括至少部分环绕半导体本体区域并且至少基本上从第一表面延伸到第二表面的第一电极区域;其中电容性结构还可以包括被布置成与第一电极区域邻近的第二电极区域以及在第一电极区域与第二电极区域之间延伸的电绝缘区域。 | ||
搜索关键词: | 半导体 芯片 | ||
【主权项】:
一种半导体芯片,包括:半导体本体区域,包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面;电容性结构,用于检测到所述半导体本体区域中的裂纹传播;其中所述电容性结构包括第一电极区域,所述第一电极区域至少部分环绕所述半导体本体区域并且至少基本上从所述第一表面延伸到所述第二表面;以及其中所述电容性结构还包括被布置成与所述第一电极区域邻近的第二电极区域以及在所述第一电极区域与所述第二电极区域之间延伸的电绝缘区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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