[发明专利]一种检测转基因CaMV35S启动子的电极的制备方法及用途在审
申请号: | 201510848286.3 | 申请日: | 2015-11-27 |
公开(公告)号: | CN105372307A | 公开(公告)日: | 2016-03-02 |
发明(设计)人: | 李雅琪;王坤;蔡建荣;孙力 | 申请(专利权)人: | 江苏大学 |
主分类号: | G01N27/327 | 分类号: | G01N27/327 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 212013 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种检测转基因CaMV35S启动子电极的制备方法级用途,包括:还原氧化石墨烯/金纳米复合材料RGO/Au的制备步骤;硅@碲化镉纳米复合材料Si@CdTe的制备步骤;在ITO电极上制备探针1(Probe1)的步骤;向探针1(Probe1)修饰目标DNA(t-DNA)CaMV35S启动子的步骤;向目标DNA(t-DNA)CaMV35S启动子修饰探针2(Probe2)的步骤。本发明通过rGO/Au NPs和Si@CdTe两端双重信号放大,实现了对转基因CaMV35S启动子的灵敏检测,在0.05~100pM的浓度区间内,CaMV35S浓度与光电流呈现良好的线性关系,检出限可达0.017pM。 | ||
搜索关键词: | 一种 检测 转基因 camv35s 启动子 电极 制备 方法 用途 | ||
【主权项】:
一种检测转基因CaMV35S启动子电极的制备方法,其特征在于,包括:步骤1、还原氧化石墨烯/金纳米复合材料RGO/Au的制备步骤;步骤2、二氧化硅纳米微球@碲化镉纳米复合材料SiO2@CdTe的制备步骤;步骤3、在ITO电极上制备探针1的步骤:将RGO/Au分散于蒸馏水中得到RGO/Au分散液后滴涂于ITO电极表面的修饰区,进行干燥;取溶有探针1的tris‑HCl缓冲液滴涂于所述干燥后的RGO/Au表面,进行干燥;冲洗电极表面后,进行干燥,得到ITO‑rGO/Au‑Probe1;步骤4、向探针1修饰目标DNA CaMV35S启动子的步骤:取溶有目标DNA CaMV35S启动子的tris‑HCl缓冲液滴涂于所述ITO‑rGO/Au‑Probe1的表面,室温孵育,待干燥后冲洗电极,得到ITO‑rGO/Au‑Probe1‑t‑DNA;步骤5、向目标DNA CaMV35S启动子修饰探针2的步骤:将SiO2@CdTe的蒸馏水分散液和N‑羟基琥珀酰亚胺的水溶液加入到乙基‑(3‑二甲基氨丙基)碳二亚胺盐酸盐的水溶液中进行反应,反应结束后,离心并洗涤得到固体A,将所得固体A加入到溶有探针2的tris‑HCl缓冲液中,得到混合液A,振荡反应一段时间后,得到固体产物Probe2/SiO2@CdTe;将Probe2/SiO2@CdTe分散于蒸馏水中后,得到混合液B,将混合液B滴涂于所述ITO‑rGO/Au‑Probe1‑t‑DNA表面,孵育,待干燥后冲洗电极表面,得到ITO‑rGO/Au‑Probe1‑t‑DNA‑Probe2/SiO2@CdTe。
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