[发明专利]一种闪存纠错方法和装置有效
| 申请号： | 201510852721.X | 申请日： | 2015-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN106816179B | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 曾雁星;沈建强;王工艺 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/42 | 分类号： | G11C29/42 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;黄健 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种闪存纠错方法和装置，包括：确定采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据和采用第m读电压阈值读取闪存页得到的数据中的第一数据位，第一数据位为采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据中与采用第m读电压阈值读取闪存页得到的数据中相同数据位对应的数据不同的数据位，进而降低采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据中的第一数据位的可信度；根据调整后的第一数据位的可信度，对采用第n+1读电压阈值读取闪存页得到的数据进行纠错译码。其中，联合使用两次读取的同一闪存页得到的数据，降低数据位不同的数据对应的数据位的可信度，从而有效提高了纠错译码的成功率，使得SSD存储系统的性能大幅提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 闪存 纠错 方法 装置 | ||
【主权项】：
一种闪存纠错方法，其特征在于，包括：步骤101：在对采用第n读电压阈值读取的闪存页数据进行纠错译码失败后，采用第n+1读电压阈值读取闪存页的数据，所述第n+1读取电压阈值与所述第n读电压阈值不同，n为大于等于1的正整数；步骤102：确定所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据和采用第m读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中的第一数据位，所述第一数据位为所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中与所述采用第m读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中相同数据位对应的数据不同的数据位，m为大于等于1且小于等于n的正整数；步骤103：降低所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据中的所述第一数据位的可信度，所述可信度为所述第一数据位对应的置信度的绝对值；步骤104：根据调整后的所述第一数据位的可信度，对所述采用第n+1读电压阈值读取所述闪存页得到的数据进行纠错译码。
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