[发明专利]一种提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备方法在审
| 申请号： | 201510853484.9 | 申请日： | 2015-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN105355521A | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 李镇江;宋冠英;孟阿兰;马凤麟;张栋梁 | 申请（专利权）人： | 青岛科技大学 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304;H01J19/24;C01B31/36;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 青岛中天汇智知识产权代理有限公司 37241 | 代理人： | 万桂斌 |
| 地址： | 266000 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备方法，该方法是将SiC纳米线置于管式炉中，抽真空至100Pa后，通入纯度为99.8％的氨气至炉内气压约为103kPa；以10℃/min的升温速率将炉温升至700～900℃，保温160～220min；关闭通气阀门，关闭电源，随炉冷却至室温得到提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线。该方法具有掺氮温度及能耗低，设备要求低，操作简便等优点，以制得的N掺杂SiC纳米线为场发射阴极材料具有比未掺杂的SiC纳米线更低的开启电场(0.8～1.05V/μm)和阈值电场(4～4.7V/μm)，在场发射冷阴极的制造方面，体现出较高的实用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 发射 性能 掺杂 sic 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备方法，其特征在于将SiC纳米线置于管式炉中，对管式炉抽真空至100Pa，通入纯度为99.8％的氨气至炉内气压约为103kPa，启动加热装置，以10℃/min的升温速率将炉温升至700～900℃，保温160～220min，对SiC纳米线进行掺氮处理，关闭通气阀门，停止通入氨气，关闭电源，随炉冷却至室温，实现提高场发射性能的N掺杂SiC纳米线的制备。
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