[发明专利]一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备

摘要

本发明公开了一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，首先将玻碳电极用硅烷偶联剂和纳米铂修饰；然后，在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基丙烯酸‑1，4‑丁二醇酯15~25%，丙烯酰胺2~8%，衣康酸4~10%，乙腈58~71%，偶氮二异庚睛1.0~2.0%，双香豆素1.0~3.0%，搅拌溶解，通氮气除氧15 min，氮气氛围，55~65℃搅拌反应，即得双香豆素分子印迹聚合物；再将聚合物涂到修饰电极上，去除模板分子，制得双香豆素分子印迹电化学传感器，该传感器对双香豆素具有较高的识别性能，制得的传感器成本低、灵敏度高、特异性好、检测快速，可反复使用，本发明制备的分子印迹传感器对双香豆素的响应大大提高。

主权项

一种识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法，其特征在于，该方法具有以下工艺步骤：(1)玻碳电极预处理：将玻碳电极依次用0.2μm、0.02μmAl2O3粉末进行表面抛光，然后用二次蒸馏水超声清洗，再用无水乙醇洗涤数次，用氮气吹干，将电极浸泡在含质量百分浓度为30～35％的γ‑缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷的无水乙醇溶液中，温度升至45±2℃浸泡100～120min，取出后，用无水乙醇洗涤数次，干燥，得到预处理玻碳电极；(2)纳米铂修饰玻碳电极的制备：将步骤(1)制备的预处理玻碳电极放入0.15mol/L氯化铂水溶液中，室温下浸泡6～8h，取出后用去离子水洗涤，再放入质量百分浓度为30％的水合肼溶液中浸泡1h，取出后用去离子水洗涤，自然干燥，即得纳米铂修饰玻碳电极；(3)双香豆素分子印迹聚合物的制备：在反应器中，按如下组成质量百分浓度加入，二甲基丙烯酸‑1，4‑丁二醇酯：15～25％，丙烯酰胺：2～8％，衣康酸：4～10％，乙腈：58～71％，偶氮二异庚睛：1.0～2.0％，双香豆素：1.0～3.0％，各组分含量之和为百分之百，搅拌溶解，通氮气除氧15min，氮气氛围，55～65℃搅拌反应6～8h，聚合完成后将悬浮物滤去，依次用高纯水、甲醇洗涤多次，真空干燥，即得双香豆素分子印迹聚合物；(4)识别双香豆素分子印迹电化学传感器的制备方法：取适量的双香豆素分子印迹聚合物分散于0.5～08％的聚乙烯醇溶液中，制得22g/L的双香豆素分子印迹聚合物溶液；然后将上述溶液15μL滴加到步骤(2)制备的纳米铂修饰玻碳电极上，置于红外灯下，挥发干溶剂后，将其用甲醇与盐酸混合溶液浸泡6～8h，除去电极上的模板分子，即得识别双香豆素分子印迹电化学传感器。