[发明专利]一种新型LED芯片的互联结构及其制作方法在审
申请号: | 201510863144.4 | 申请日: | 2015-11-30 |
公开(公告)号: | CN105355642A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 易翰翔;郝锐;刘洋;许徳裕 | 申请(专利权)人: | 广东德力光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62;H01L33/44;H01L33/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 冯剑明 |
地址: | 529030 *** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种新型LED芯片的互联结构,并具体公开了利用透明绝缘的光刻胶形成的光阻层对LED芯片进行保护,同时对连接LED芯片的金属导线层进行支撑和粘附,使其不易断裂。由于光阻层是采用软性的光刻胶制作而成,易填充在LED芯片之间的空间,形成良好的支撑面,能很好地降低金属线的大幅度起伏引起的电压升高,且具备一定的粘附力,能很好的粘附金属导线层,此外,光刻胶的抗冲击、抗压的能力比硬性材料的SiO2更为优秀,使光阻层能起到保护作用;本设计还减少了设置钝化层和蚀刻钝化层两道工序,提高了LED芯片的生产效率,并降低制造成本。本发明还公开了制备上述LED芯片的互联结构的方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 新型 led 芯片 联结 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种新型LED芯片的互联结构,其特征在于:包括衬底(10),所述衬底(10)上设置有至少两块LED芯片,所述LED芯片包括依次设置在衬底(10)上的N型半导体层(20)、发光层(30)和P型半导体层(40),其中N型半导体层(20)部分暴露在发光层(30)外,所述N型半导体层(20)的暴露区上设置有N电极(52),P型半导体层(40)表面设置有P电极(51),所述衬底(10)上表面和LED芯片外涂抹有透明绝缘的光刻胶,并通过光刻工艺形成光阻层(60),所述光阻层(60)上设置有使P电极(51)和N电极(52)外露的缺口,所述光阻层(60)表面蒸镀有金属导线层(70),所述金属导线层(70)两端分别连接不同的LED芯片上的电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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