[发明专利]一种半导体结构激光剥离方法

摘要

本发明涉及一种半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体结构激光剥离方法，在所述平台表面与所述外部键合点空隙相匹配的区域沉积有预定介质形成一填充区，将依次沉积有所述聚酰亚胺封装薄膜层、外部键合点的基板放置于所述平台上，使得所述外部键合点键合入所述填充区；外部键合点之间的空隙被预定介质填充，可以平整的放置于所述平台之上，基板表面处于同一水平位置上，去除基板准确率提高，另外因聚酰亚胺薄膜层表面平整，在贴附支撑性薄膜时，避免产生气泡，提高支撑性薄膜贴附的稳定性，提升产品成品率。

主权项

1.一种半导体结构激光剥离方法，其特征在于，包括：提供第一工作平台，所述第一工作平台包括用于放置器件的工作表面,且所述工作表面设置有若干凸起机构；提供待剥离的半导体结构，所述半导体结构具有凹凸不平的下表面及相对于所述下表面的上表面；将所述半导体结构放置于所述第一工作平台上，所述第一工作平台上设置的所述若干凸起机构支撑所述半导体结构的下表面，使所述若干凸起机构与所述半导体结构的具有凹凸不平的下表面契合，以使所述半导体结构的上表面实质上处于水平面上；以及对所述半导体结构的所述上表面进行激光剥离工艺。