[发明专利]形成双大马士革结构的方法、等离子体刻蚀方法有效
| 申请号： | 201510871162.7 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106811752B | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 孙超;吴紫阳;王兆祥 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | C23F4/00 | 分类号： | C23F4/00;H01L21/3065;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种形成双大马士革结构的方法与一种等离子体刻蚀方法，以抑制fence缺陷的产生。其中，该形成双大马士革结构的方法，包括：在含硅介质层内形成连接孔；在含硅介质层的上方及连接孔内形成硬掩膜材料；在硬掩膜材料的上方形成光刻胶图案，所述光刻胶图案的开口形状与待形成的沟槽的形状相对应，所述连接孔位于所述光刻胶图案的开口内；去除含硅介质层表面的硬掩膜材料；以等离子体刻蚀的方式去除光刻胶图案开口内的部分含硅介质层，以形成沟槽；在该等离子体刻蚀过程中，以脉冲方式施加射频偏置功率和射频源功率，提供的反应气体包括作为聚合气体的COS。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体刻蚀 光刻胶图案 硅介质层 双大马士革结构 硬掩膜材料 连接孔 去除 开口 射频源功率 反应气体 聚合气体 开口形状 脉冲方式 偏置功率 射频 施加 | ||
【主权项】：
1.一种形成双大马士革结构的方法，包括：在含硅介质层内形成连接孔；在含硅介质层的上方及连接孔内形成硬掩膜材料；在硬掩膜材料的上方形成光刻胶图案，所述光刻胶图案的开口形状与待形成的沟槽的形状相对应，所述连接孔位于所述光刻胶图案的开口内；去除含硅介质层表面的硬掩膜材料；以等离子体刻蚀的方式去除光刻胶图案开口内的部分含硅介质层和连接孔中的硬掩膜材料，以形成沟槽；在该等离子体刻蚀过程中，以脉冲方式施加射频偏置功率和射频源功率，在每个脉冲中包括刻蚀阶段与聚合阶段，提供的反应气体包括作为聚合气体的COS。
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