[发明专利]一种薄膜晶体管、制造方法及其液晶显示器在审
申请号: | 201510880684.3 | 申请日: | 2015-12-03 |
公开(公告)号: | CN105355564A | 公开(公告)日: | 2016-02-24 |
发明(设计)人: | 杨济纶;刘谦 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/10 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及其液晶显示器。该制造方法包括:形成一源极于一第一金属层,其具有一斜面;形成一非晶硅层于源极的斜面;形成一漏极于非晶硅层的上方;形成一第一钝化层于源极的上方以及漏极的上方;以及形成一栅极于第一钝化层的上方,且栅极位于漏极侧边。非晶硅层与第一金属层所在平面的夹角为锐角,栅极与非晶硅层的接触面为尖角。相比于现有技术,本发明藉由非晶硅层的薄膜厚度控制薄膜晶体管的沟道长度,可将沟道长度的制程精度从微米等级提升至埃等级,摆脱了黄光制程的精度限制,大幅地提升沟道电流。此外,本发明的薄膜晶体管的栅极控制区域为点状沟道,可使线性区至饱和区的工作电压进一步降低。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 制造 方法 及其 液晶显示器 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步骤:形成一源极于一第一金属层,所述源极具有一斜面且电性耦接至一数据线;形成一非晶硅层于所述源极的斜面;形成一漏极于所述非晶硅层的上方,其中,所述漏极与所述非晶硅层相接触的表面平行于所述源极的斜面;形成一第一钝化层于所述源极的上方以及所述漏极的上方;以及形成一栅极于所述第一钝化层的上方,且所述栅极位于所述漏极的侧边,其中,所述非晶硅层与所述第一金属层所在平面的夹角为锐角,且所述栅极与所述非晶硅层的接触面为尖角。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造