[发明专利]一种薄膜晶体管、制造方法及其液晶显示器在审

专利信息
申请号: 201510880684.3 申请日: 2015-12-03
公开(公告)号: CN105355564A 公开(公告)日: 2016-02-24
发明(设计)人: 杨济纶;刘谦 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L21/336 分类号: H01L21/336;H01L29/786;H01L29/10
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹科*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法及其液晶显示器。该制造方法包括:形成一源极于一第一金属层,其具有一斜面;形成一非晶硅层于源极的斜面;形成一漏极于非晶硅层的上方;形成一第一钝化层于源极的上方以及漏极的上方;以及形成一栅极于第一钝化层的上方,且栅极位于漏极侧边。非晶硅层与第一金属层所在平面的夹角为锐角,栅极与非晶硅层的接触面为尖角。相比于现有技术,本发明藉由非晶硅层的薄膜厚度控制薄膜晶体管的沟道长度,可将沟道长度的制程精度从微米等级提升至埃等级,摆脱了黄光制程的精度限制,大幅地提升沟道电流。此外,本发明的薄膜晶体管的栅极控制区域为点状沟道,可使线性区至饱和区的工作电压进一步降低。
搜索关键词: 一种 薄膜晶体管 制造 方法 及其 液晶显示器
【主权项】:
一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于,所述制造方法包括以下步骤:形成一源极于一第一金属层,所述源极具有一斜面且电性耦接至一数据线;形成一非晶硅层于所述源极的斜面;形成一漏极于所述非晶硅层的上方,其中,所述漏极与所述非晶硅层相接触的表面平行于所述源极的斜面;形成一第一钝化层于所述源极的上方以及所述漏极的上方;以及形成一栅极于所述第一钝化层的上方,且所述栅极位于所述漏极的侧边,其中,所述非晶硅层与所述第一金属层所在平面的夹角为锐角,且所述栅极与所述非晶硅层的接触面为尖角。
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