[发明专利]低成本常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法在审

专利信息
申请号: 201510880871.1 申请日: 2015-12-03
公开(公告)号: CN105294108A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 曹剑武;史秀梅;王静慧;李国斌;李志鹏;李晓静;郭建斌;张立君 申请(专利权)人: 中国兵器科学研究院宁波分院
主分类号: C04B35/565 分类号: C04B35/565;C04B35/64
代理公司: 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 代理人: 袁忠卫;景丰强
地址: 315103 浙*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种低成本常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于包括如下步骤:①主原料准备;②碳化硅浆料制备;③造粒;④素坯获得,将造粒粉成型得到素坯;⑤烧结,得到碳化硅陶瓷。与现有技术相比,本发明的优点在于:采用粗碳化硅粉体为主要原材料进行常压烧结,密度可达到3.0g/cm3,致密度平均达到94%以上,已基本接近微细碳化硅粉体常压烧结密度的性能,满足大部分领域的应用,但粗颗粒的碳化硅粉较细微碳化硅粉成本低很多,将使碳化硅陶瓷的生产成本有较大幅度降低缩短,适合工业化批量生产。
搜索关键词: 低成本 常压 烧结 碳化硅 陶瓷 制备 方法
【主权项】:
一种低成本常压烧结碳化硅陶瓷的制备方法,其特征在于包括如下步骤:①主原料准备,主原料包括以下重量百分比的组分:②碳化硅浆料制备,将主原料和为主原料重量120%~280%的无水乙醇,去离子水为主原料重量1%~5%,分散剂为主原料重量1%~5%加入球磨机或砂磨机中,配制成固含量为30%~50%的碳化硅浆料;前述的分散剂采用固含量为41.5%~43.5%的水性钠盐分散剂;③造粒,碳化硅浆料,采用喷雾干燥造粒机造粒碳化硅浆料,得到造粒粉,喷雾干燥条件:进口温度为145℃~195℃,喷头喷雾频率15Hz~25Hz,,出口温度为75℃~125℃;④素坯获得,将造粒粉成型得到素坯;⑤烧结,将素坯放入烧结炉中,通入氩气,在2200℃~2250℃温度下保温2h~4h完成常压烧结,得到碳化硅陶瓷。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国兵器科学研究院宁波分院,未经中国兵器科学研究院宁波分院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510880871.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top