[发明专利]SACVD腔室的清洁方法有效
| 申请号： | 201510881898.2 | 申请日： | 2015-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN106835063B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 徐建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/00 | 分类号： | C23C16/00;B08B3/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种SACVD腔室的清洁方法，包括：提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔盖和位于所述腔盖下方的加热基座；对所述SACVD腔室进行第一清洁，在所述第一清洁中，所述腔盖和所述加热基座的间距为第一间距；进行第一清洁后，对所述SACVD腔室进行第二清洁，在所述第二清洁中，所述加热基座靠近SACVD腔室底部，所述腔盖和所述加热基座的间距为第二间距，所述第一间距小于所述第二间距。采用所述SACVD腔室的清洁方法，将所述SACVD腔室底部和腔壁的膜层清洁干净的同时降低了对腔壁的刻蚀损伤。 | ||
| 搜索关键词： | sacvd 清洁 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SACVD腔室的清洁方法，其特征在于，包括：提供SACVD腔室，所述SACVD腔室具有腔盖和位于所述腔盖下方的加热基座；对所述SACVD腔室进行第一清洁，在所述第一清洁中，所述腔盖和所述加热基座的间距为第一间距；进行第一清洁后，对所述SACVD腔室进行第二清洁，在所述第二清洁中，所述加热基座靠近SACVD腔室底部，所述腔盖和所述加热基座的间距为第二间距，所述第一间距比所述第二间距至少小2/3；所述第一清洁采用的腔室压强为第一压强，所述第二清洁采用的腔室压强为第二压强，所述第一压强等于第二压强。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
