[发明专利]抗干扰厚膜混合集成电路的集成方法在审
| 申请号： | 201510882055.4 | 申请日： | 2015-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN105405803A | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 杨成刚;苏贵东;赵晓辉;黄晓山;刘学林;路兰艳 | 申请（专利权）人： | 贵州振华风光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/70 | 分类号： | H01L21/70;H01L23/60 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 抗干扰厚膜混合集成电路的集成方法，是将金属与陶瓷的复合材料用作管基和管帽外层的材料，以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽要求，具体的集成方法是：在预先烧结成型的陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面，采用涂覆金属浆料烧结或化学电镀的方式生长所需金属层，再进行半导体集成电路芯片和片式元器件的装贴、引线键合和封帽；这样，管基和管帽用陶瓷材料和金属材料二者有机结合，即实现从低频到高频的电磁屏蔽，使封装内外电磁环境达到良好的隔离，从而实现提高厚膜混合集成电路抗干扰能力的目的。用本方法生产的器件广泛应用于航天、航空、船舶、电子、通讯、医疗设备、工业控制等领域，特别适用于装备系统小型化、高频、高可靠的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 抗干扰 混合 集成电路 集成 方法 | ||
【主权项】：
抗干扰厚膜混合集成电路的集成方法，其特征是将金属与陶瓷的复合材料用作管基和管帽的材料，以满足从低频、中频到高频全频段的屏蔽要求，具体的集成方法是：在预先烧结成型的陶瓷管基、陶瓷管帽的外表面，采用涂覆金属浆料烧结或化学电镀的方式生长所需金属层，再进行半导体集成电路芯片和片式元器件的装贴、引线键合和封帽；这样，管基和管帽将陶瓷材料和金属材料二者有机结合，即实现从低频到高频的电磁屏蔽，使封装内外电磁环境达到良好的隔离，从而实现提高厚膜混合集成电路抗干扰能力的目的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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