[发明专利]引线框架、半导体装置有效

专利信息
申请号: 201510882130.7 申请日: 2015-12-03
公开(公告)号: CN105720034B 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 笠原哲一郎;坂井直也;小林秀基;大串正幸 申请(专利权)人: 新光电气工业株式会社
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 魏彦;向勇
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种半导体装置等,其端子部与树脂部的紧密性更高。该半导体装置包括具有端子部的引线框架、与上述端子部电连接的半导体芯片、以露出上述端子部的一部分的方式密封上述半导体芯片的树脂部,上述端子部具有在第1引线的顶面叠合第2引线的底面并熔接而成的结构。在上述端子部的长边方向上,上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向上述半导体芯片侧延伸,且,在上述端子部的短边方向上,上述第2引线的底面比上述第1引线的顶面更向两侧延伸,上述第2引线的底面的比上述第1引线的顶面更向外延伸的区域被上述树脂部覆盖。
搜索关键词: 引线 框架 半导体 装置
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:具有端子部的引线框架;与所述端子部电连接的半导体芯片;以及以露出所述端子部的一部分的方式密封所述半导体芯片的树脂部,所述端子部具有在第1引线的顶面叠合第2引线的底面并熔接而成的结构,在所述端子部的长边方向上,所述第2引线的底面比所述第1引线的顶面更向所述半导体芯片侧延伸,且,在所述端子部的短边方向上,所述第2引线的底面比所述第1引线的顶面更向两侧延伸,在所述第1引线的底面的所述半导体芯片侧形成有阶差部,在所述阶差部,形成有与所述第2引线熔接的连接部,所述第2引线的底面的比所述第1引线的顶面更向外延伸的区域以及上述阶差部被所述树脂部覆盖。
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