[发明专利]一种用于硅外延生长的基片传送系统在审
| 申请号： | 201510912828.9 | 申请日： | 2015-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN105552010A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 胡凡;陈特超;陈庆广;舒勇东 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | H01L21/677 | 分类号： | H01L21/677 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于硅外延生长的基片传送系统，包括进片盒、大气机械手、真空锁、传送室、真空机械手及反应室，所述大气机械手用来将进片盒内的基片送入真空锁，所述真空锁中设置有校准装置，所述校准装置用来对基片位置进行修正；所述真空机械手位于传送室内，用于将基片从真空锁送入反应室；所述反应室内设置有石墨基座，所述石墨基座的上表面均布放置基片的凹槽。本发明具有能够提高传送精度、提高传送可靠性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 外延 生长 传送 系统 | ||
【主权项】：
一种用于硅外延生长的基片传送系统，其特征在于，包括进片盒（1）、大气机械手（2）、真空锁（5）、传送室（8）、真空机械手（9）及反应室（11），所述大气机械手（2）用来将进片盒（1）内的基片送入真空锁（5），所述真空锁（5）中设置有校准装置（6），所述校准装置（6）用来对基片位置进行修正；所述真空机械手（9）位于传送室（8）内，用于将基片从真空锁（5）送入反应室（11）；所述反应室（11）内设置有石墨基座（12），所述石墨基座（12）的上表面均布放置基片的凹槽。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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