[发明专利]一种抑制漏磁提高交变磁场传输效率的构造有效

专利信息
申请号: 201510915796.8 申请日: 2015-12-10
公开(公告)号: CN105355400B 公开(公告)日: 2017-07-11
发明(设计)人: 马光同;周鹏博;王志涛 申请(专利权)人: 西南交通大学
主分类号: H01F27/36 分类号: H01F27/36;H05K9/00;H01F38/14
代理公司: 成都信博专利代理有限责任公司51200 代理人: 张澎
地址: 610031 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种抑制漏磁提高交变磁场传输效率的构造,基于变压器或互感器的总体结构,采用该构造制作的磁能传输装置的结构是初级线圈(2)绕在铁芯(1)的一端,并且经过初级线圈接头(3)与交流电源相连;次级线圈(5)绕在铁芯(1)的另一端,通过外接引线(7)与负载相连。铁芯(1)上未被线圈包覆的部分具有由超导层(401)与铁磁层(402)交替叠绕而成的超导体‑铁磁体异质结构屏蔽层(4)。本发明可以有效抑制传统变压器的铁芯漏磁问题,提升变压器的传输效率,同时可以提高电流(压)互感器的测量精度。
搜索关键词: 一种 抑制 提高 磁场 传输 效率 构造
【主权项】:
一种抑制漏磁提高交变磁场传输效率的构造,用在包括交流变压器和互感器等磁交变装置中抑制漏磁提高交变磁场传输效率,在磁交变装置中:初级线圈(2)绕在铁芯(1)的一端,并且经过初级线圈接头(3)与交流电源相连;次级线圈(5)绕在铁芯(1)的另一端,通过外接引线(7)与负载相连;其特征在于,铁芯(1)上未被线圈包覆的部分具有由超导层(401)与铁磁层(402)交替叠绕而成的超导体‑铁磁体异质结构屏蔽层(4)。
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