[发明专利]加热处理装置和加热处理方法

摘要

本发明提供一种在对形成于晶片的涂敷膜进行加热处理时，能够防止升华物向处理容器外部泄露且对于涂敷膜的膜厚能够获得良好的面内均匀性的技术。在将涂敷有SOC膜的晶片载置于处理容器(1)内，加热晶片使交联反应进行时，一边从中央排气口(34)以少的流量排气，并从外周排气口(31)以大的流量排气，一边使交联反应进行。在另一例中，从晶片的加热开始起仅进行外周排气口(31)的排气，从晶片的加热开始起20秒后除了从外周排气口(31)排气之外，还从中央排气口(34)排气。在又一例中，从晶片的加热开始的20秒间仅从外周排气口(31)排气，之后，停止外周排气口(31)的排气，并且从中央排气口(34)排气。

主权项

一种对形成于衬底的涂敷膜进行加热处理的加热处理装置，其特征在于，包括：设置在处理容器内，载置衬底的载置部；用于对载置于所述载置部的衬底进行加热的加热部；俯视时沿周向设置在比所述载置部上的衬底靠外侧的位置，用于对所述处理容器内供气的供气口；俯视时沿周向设置在比所述载置部上的衬底靠外侧的位置，用于对所述处理容器内排气的外周排气口；和设置在所述载置部上的衬底的中央部的上方侧，用于对所述处理容器内排气的中央排气口。