[发明专利]阵列基板、显示面板以及阵列基板的制造方法有效
申请号: | 201510920100.0 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN105467703B | 公开(公告)日: | 2019-08-13 |
发明(设计)人: | 周晓莲 | 申请(专利权)人: | 厦门天马微电子有限公司;天马微电子股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1333 |
代理公司: | 上海隆天律师事务所 31282 | 代理人: | 臧云霄;钟宗 |
地址: | 361101 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明提供了阵列基板、显示面板以及阵列基板的制造方法,阵列基板包括:多个矩阵排列的TFT;平坦化层,形成于多个TFT之上;公共电极层,形成于平坦化层之上;钝化层,形成于公共电极层之上;以及像素电极层,形成于钝化层之上,像素电极层通过依次设置的钝化层的接触孔、公共电极层的接触孔和平坦化层的接触孔电连接至对应的TFT的漏极;平坦化层包括平坦区域以及自平坦化层的接触孔的边缘过渡到平坦区域的斜坡区域;公共电极层的接触孔的边缘位于平坦化层的斜坡区域。本发明使得公共电极层边缘处于平坦化层的斜坡区域上,改善了钝化层的覆盖性,可避免公共电极层边缘翘起或钝化层的陡坡处太薄导致的暗点不良。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示 面板 以及 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:多个矩阵排列的TFT;平坦化层,形成于所述多个TFT之上;公共电极层,形成于所述平坦化层之上;钝化层,形成于所述公共电极层之上;以及像素电极层,形成于所述钝化层之上,所述像素电极层通过依次设置的所述钝化层的接触孔、所述公共电极层的接触孔和所述平坦化层的接触孔电连接至对应的TFT的漏极;所述平坦化层包括平坦区域以及自所述平坦化层的接触孔的边缘过渡到所述平坦区域的斜坡区域;所述公共电极层的接触孔的边缘位于所述平坦化层的斜坡区域;所述公共电极层的接触孔的直径大于所述平坦化层的接触孔,所述平坦化层的接触孔大于钝化层的接触孔的直径;所述钝化层的接触孔、所述公共电极层的接触孔和所述平坦化层的接触孔三个接触孔同心;所述平坦化层和所述钝化层分别从上下两个方向一起包覆了所述公共电极层;所述斜坡区域包括第一斜坡区域和第二斜坡区域,所述第一斜坡区域环绕所述平坦化层的接触孔设置,所述第二斜坡区域环绕所述第一斜坡区域设置,所述第一斜坡区域的倾角大于第二斜坡区域;所述公共电极层的接触孔的边缘位于所述第二斜坡区域;所述公共电极层的接触孔的边缘处具有一倾角,所述倾角小于等于30°。
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