[发明专利]一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法

摘要

本发明公开了一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法，其依次包括如下步骤将扩散后小黑点硅片进行喷蜡掩膜处理；用HNO3与HF混合液去除所述硅片非掩膜区域小黑点；用KOH与BDG混合液去除所述硅片石蜡掩膜残留物；用去离子水清洗所述硅片并烘干。本发明的有益效果是通过上述腐蚀过程不仅能将小黑点去除，不会改变硅片绒面状态，能够保证绒面正常；反射率降低，且硅片腐蚀量仅增加1.5mg～1.7mg，最大程度的保证了硅片原始厚度，不会因腐蚀量过多导致硅片变薄从而生产过程中碎片率高现象，从而克服了因再次制绒以及扩散后效率低、碎片率高、耗时长、增加生产成本问题。

主权项

一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法，其包括如下步骤：S1.将扩散后小黑点硅片进行喷蜡掩膜处理；S2.用HNO3与HF混合液去除所述硅片非掩膜区域小黑点；S3.用KOH与BDG混合液去除所述硅片石蜡掩膜残留物；S4.用去离子水清洗所述硅片并烘干。