[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，公开了一种隧穿场效应晶体管及其制造方法，该器件包括：具有第一掺杂类型的衬底，设于所述衬底中部的鳍形区域，设于所述衬底一侧以及部分鳍形区域上的源区，设于源区以及鳍形区域的重叠区域内的嵌入反型注入层，覆盖在鳍形区域之上的栅介质层以及栅导电层，以及设于衬底的另一侧的漏区。本发明提供的隧穿场效应晶体管及其制造方法，有效增大了器件导通电流，同时具有陡直的亚阈值斜率，显著改善了器件特性，同时，本发明与传统的CMOS工艺完全兼容，降低了生产成本，简化了工艺流程。

主权项

1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管包括：衬底，所述衬底具有第一掺杂类型；鳍形区域，凸出设于所述衬底中部；源区，所述源区具有第二掺杂类型，设于所述衬底一侧以及部分鳍形区域上；嵌入反型注入层，所述嵌入反型注入层具有第一掺杂类型，设于所述源区以及鳍形区域的重叠区域内，在鳍形垂直沟道内，所述嵌入反型层与源区在水平方向和垂直方向上均形成隧穿结；栅介质层，覆盖所述鳍形区域之上；栅导电层，设于所述栅介质层上，以及漏区，所述漏区具有第一掺杂类型，设于所述衬底的另一侧。