[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板。该方法包括：在基板上依次形成缓冲层、栅极金属层、栅极绝缘层、半导体有源层、蚀刻阻挡层和源漏极金属层，其中，包括栅极和栅极金属线的栅极金属层位于缓冲层的第一缓冲区和第二缓冲区之间，包括源极和漏极的源漏极金属层位于蚀刻阻挡层中。通过上述方式，本发明将源极金属线埋入缓冲层以及将与源极或漏极连接的数据线埋入蚀刻阻挡层，能够改善阵列基板中金属线也即栅极金属线和数据线的爬坡断线、尖端放电以及金属膜氧化的问题，进而提高阵列基板以及液晶面板的生产品质。

主权项

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：提供一基板，在所述基板上形成缓冲层，其中，所述缓冲层包括间隔设置的第一缓冲区和第二缓冲区；在形成有所述缓冲层的所述基板上形成栅极金属层，其中，所述栅极金属层包括栅极、栅极金属线，所述栅极金属层位于所述第一缓冲区和第二缓冲区之间；在形成有所述栅极金属层的所述基板上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极金属层和所述缓冲层；在形成有所述栅极绝缘层的所述基板上形成半导体有源层，其中，所述半导体有源层位于所述栅极金属层的上方；在形成有所述半导体有源层的所述基板上形成蚀刻阻挡层，其中，所述蚀刻阻挡层包括间隔设置的第一阻挡区、第二阻挡区和第三阻挡区，其中，所述第二阻挡区部分覆盖所述半导体有源层以使所述半导体有源层从所述第一阻挡区和所述第二阻挡区的间隙以及所述第二阻挡区和所述第三阻挡区的间隙外露；在形成有所述蚀刻阻挡层的所述基板上形成源漏极金属层，其中，所述源漏极金属层包括源极和漏极，所述源极位于所述第一阻挡区和所述第二阻挡区之间，所述漏极位于所述第二阻挡区和所述第三阻挡区之间，所述源极、所述漏极分别与所述半导体有源层相接触；其中，所述栅极金属线与所述栅极相连，所述栅极金属线埋入所述缓冲层中；其中，数据线与所述源极或者所述漏极相连，所述数据线埋入所述蚀刻阻挡层中。