[发明专利]半导体集成电路装置以及可穿戴装置有效
| 申请号： | 201510940599.1 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105719686B | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 蒲原史朗;山县保司;长谷川拓实;杉井信之 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/41 | 分类号： | G11C11/41;G11C11/413 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金春实 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体集成电路装置以及可穿戴装置，能够提供能够在实现低功耗化的同时稳定地动作的半导体装置。半导体装置具备：CPU(26)；系统控制器(24)，指定CPU(26)的动作速度；SRAM(30)，具有P型SOTB晶体管(SP1、SP2)和N型SOTB晶体管(SN1～SN4)，与CPU(26)连接；以及基板偏置电路(23)，与系统控制器(24)连接，能够对P型SOTB晶体管(SP1、SP2)以及N型SOTB晶体管(SN1～SN4)供给基板偏置电压(Vsp、Vsn)。此处，在系统控制器(24)指定使CPU(26)以低速进行动作的低速模式时，基板偏置电路(23)将基板偏置电压(Vsp、Vsn)供给到P型SOTB晶体管(SP1、SP2)以及N型SOTB晶体管(SN1～SN4)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 装置 以及 穿戴 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路装置，其特征在于，具备：第1电路；模式指定电路，指定所述第1电路的动作速度；第2电路，具有P型SOTB晶体管和N型SOTB晶体管，与所述第1电路连接；以及基板偏置电路，与所述模式指定电路连接，能够对所述P型SOTB晶体管以及所述N型SOTB晶体管供给第1基板偏置电压以及第2基板偏置电压，在所述模式指定电路指定使所述第1电路以第1速度进行动作的第1动作模式时，所述基板偏置电路将所述第1基板偏置电压以及第2基板偏置电压供给到所述P型SOTB晶体管以及所述N型SOTB晶体管，在所述模式指定电路指定以比所述第1速度更高速的第2速度使所述第1电路动作的第2动作模式时，所述基板偏置电路不向所述P型SOTB晶体管以及所述N型SOTB晶体管供给基板偏置电压。
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