[发明专利]一种晶圆级TSV封装结构及封装工艺

摘要

本发明公开了一种晶圆级TSV封装结构及封装工艺，其中，所述一种晶圆级TSV封装结构包括器件晶圆，所述器件晶圆包括衬底、设置在衬底上的第一绝缘层以及设置在第一绝缘层上的若干焊盘，所述器件晶圆包括贯穿所述焊盘及所述第一绝缘层的凹槽，所述凹槽设置在焊盘的中部，所述凹槽中设有有金属材料，所述金属材料与焊盘电连接，所述衬底设有贯穿的TSV孔，TSV孔与焊盘对应设置，所述TSV孔的直径大于所述凹槽的宽度，TSV孔的侧壁及衬底的表面设有第二绝缘层，所述TSV孔的底部及第二绝缘层上设有至少一层再布线层，再布线层与金属材料电连接，所述再布线层上设有凸点，所述凸点与再布线层电连接。本发明避免了TSV的侧壁和拐角处的氧化硅绝缘层的刻蚀，有效提高器件可靠性。

主权项

一种晶圆级TSV封装结构，包括器件晶圆，所述器件晶圆包括衬底、设置在衬底上的第一绝缘层以及设置在第一绝缘层上的若干焊盘，其特征在于：所述器件晶圆包括贯穿所述焊盘及所述第一绝缘层的凹槽，所述凹槽设置在焊盘的中部，所述凹槽中设有有金属材料，所述金属材料与焊盘电连接，所述衬底设有贯穿的TSV孔，所述TSV孔与焊盘对应设置，所述TSV孔的直径大于所述凹槽的宽度，所述TSV孔的侧壁及衬底的表面设有第二绝缘层，所述TSV孔的底部及第二绝缘层上设有至少一层再布线层，所述再布线层与金属材料电连接，所述再布线层上设有凸点，所述凸点与再布线层电连接。