[发明专利]平面肖特基势垒二极管

摘要

一种平面肖特基势垒二极管，包括N型重掺杂硅衬底、N型轻掺杂外延层、P型重掺杂环区、薄氧化层、场氧化层、肖特基势垒层、多层金属层；其特征在于在P型重掺杂环区外侧的N型轻掺杂外延层中设置有P型轻掺杂环区，薄氧化层位于P型重掺杂环区和P型轻掺杂环区上面，场氧化层位于部分P型轻掺杂环区上方及其外侧的N型轻掺杂外延层上方，肖特基势垒层形成于在部分P型重掺杂环区上面及N型轻掺杂外延层上面。本发明二极管可有效提高P型重掺杂环区的耐压效率，进而可以通过降低P型重掺杂环区的结深，进一步增强肖特基势垒区的表面电场，从而提高平面肖特基势垒的抗雷击能力，并能够降低正向导通压降、提高正向浪涌能力。

主权项

一种平面肖特基势垒二极管，其包括N型重掺杂硅衬底、在所述N型重掺杂硅衬底上生长的N型轻掺杂外延层、在所述N型轻掺杂外延层中设置有P型重掺杂环区、位于所述P型重掺杂环区上面的薄氧化层、位于所述薄氧化层外侧的场氧化层、位于薄氧化层内侧的肖特基势垒层，位于所述场氧化层、薄氧化层、肖特基势垒层上面的多层金属层，及位于所述N型重掺杂硅衬底下面的多层金属层，其特征在于在在所述P型重掺杂环区外侧的所述N型轻掺杂外延层中设置有P型轻掺杂环区，所述薄氧化层位于所述P型重掺杂环区和所述P型轻掺杂环区上面，所述场氧化层位于部分所述P型轻掺杂环区上方及所述P型轻掺杂环区外侧的N型轻掺杂外延层上方，所述肖特基势垒层形成于部分所述P型重掺杂环区上面及所述N型轻掺杂外延层上面。