[发明专利]一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构在审
| 申请号： | 201510947270.8 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105449017A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 马英杰;张永刚;顾溢;陈星佑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0248 | 分类号： | H01L31/0248;H01L31/0304;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，在InP衬底上采用周期性InxGa1-xAs多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采用厚度为a的InxGa1-xAs、0.53<x≤1作为量子阱层，厚度为b的InyGa1-yAs、0≤y<0.53作为势垒层。本发明的材料结构可以在保证较高材料质量的情况下，根据需要方便地将InGaAs光吸收长波截止波长延伸到1.7-3.0μm之间，特别适合于扩展InGaAs探测器的光响应波长，同时具有其它广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 实现 ingaas 光吸收 波长 扩展 材料 结构 | ||
【主权项】：
一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，其特征在于：在InP衬底上采用周期性InxGa1‑xAs多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采用厚度为a的InxGa1‑xAs、0.53<x≤1作为量子阱层，厚度为b的InyGa1‑yAs、0≤y<0.53作为势垒层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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