[发明专利]一种多孔单质硅的制备方法在审
| 申请号： | 201510953072.2 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN105529451A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋学鑫;王亚娟;李望;郭敬新 | 申请（专利权）人： | 安徽壹石通材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/1395;C01B33/023 |
| 代理公司： | 安徽信拓律师事务所 34117 | 代理人： | 吴奇 |
| 地址： | 233400 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多孔单质硅的制备方法，涉及电池材料技术领域，以软硅为原料，镁粉为还原剂，在惰性环境中还原得到多孔单质硅。所述软硅粒径为1-10um，比表面积为180-230m2/g且具有多孔中空结构。本发明以软硅为原料，其外形为椭球形，相对于使用实心二氧化硅球来说，软硅与镁反应时，镁可以很容易进入到多孔二氧化硅的内部，并且采用分温区加热，使反应更加均匀，相对于气凝胶来说，多孔硅结构保存的更加完好和稳定，多孔硅的壁厚能保持在100nm以上。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 单质 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种多孔单质硅的制备方法，其特征在于：以软硅为原料，镁粉为还原剂，在惰性环境中还原得到多孔单质硅；所述软硅粒径为1‑10um，比表面积为180‑230m2/g且具有多孔中空结构。
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