[发明专利]一种SiC涂层的制备方法有效
| 申请号： | 201510956009.4 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105503270B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 蒋军军;金辉亚;赵倩倩;彭国强 | 申请（专利权）人： | 湖南博望碳陶有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87;C08G77/60 |
| 代理公司： | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人： | 颜勇 |
| 地址： | 410200 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC涂层的制备方法；特别涉及一种通过CVI工艺和PIP工艺制备碳化硅涂层的方法。本发明将盛有聚甲基硅烷的石墨容器a置于石墨容器b中，然后将干燥、清洁的待涂工件置于石墨容器b中，抽真空、通入保护气体，然后再抽真空至石墨容器b中的气压小于等于100Pa后，关闭进气口，升温至700～1000℃、优选为700～800℃后，保温得到带有不定型碳化硅涂层的工件后，在真空气氛或保护气氛下于1500～1600℃进行烧结，得到带β碳化硅涂层的工件。本发明所得涂层质量好、制备周期短、制备工艺简单，便于产业化应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 涂层 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SiC涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一将盛有聚甲基硅烷的石墨容器a置于石墨容器b中，然后将干燥、清洁的待涂工件置于石墨容器b中，抽真空、通入保护气体，然后再抽真空至石墨容器b中的气压小于等于100Pa后，关闭进气口，升温至700～1000℃后，保温得到带有不定型碳化硅涂层的工件；所述带有不定型碳化硅涂层的工件中，不定型碳化硅涂层的厚度大于等于5微米；所述石墨容器a和石墨容器b的体积比为1：3～10，石墨容器a为开口，石墨容器b为带进气口、可密封的容器；步骤二将步骤一所得带有不定型碳化硅涂层的工件；置于烧结炉中，在真空气氛或保护气氛下烧结，得到带β碳化硅涂层的工件；所述烧结的温度为1500～1600℃。
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