[发明专利]一种CuWO4/WO3异质结构纳米片阵列薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种CuWO₄/WO₃异质结构纳米片阵列薄膜的制备方法，具体步骤为：仲钨酸铵水合物的水和乙醇溶液中加入浓盐酸和双氧水，搅拌混合均匀后制得WO₃前驱物溶液；水热反应制备WO₃纳米片阵列；WO₃纳米片阵列在二价铜盐的乙醇溶液中浸泡，再退火得到CuWO₄/WO₃异质结构纳米片阵列薄膜。本发明得到的产品中WO₃纳米片垂直于FTO生长，CuWO₄纳米颗粒紧紧结合在WO₃纳米片表面，CuWO₄的导带位置与WO₃相比更负，当光照射到薄膜电极上，利于光生电荷的分离，作为光电化学分解水的光阳极，可以提高分解水的效率。

主权项

一种CuWO₄/WO₃异质结构纳米片阵列薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）将0.2‑0.4g仲钨酸铵水合物分散到水和乙醇的混合溶剂中，再加入1‑2mL质量浓度为37%的浓盐酸和1‑2mL质量浓度为35%的双氧水，搅拌混合均匀后制得WO₃前驱物溶液；（2）将步骤（1）所得的WO₃前驱物溶液转移至水热反应釜中，并将FTO导电面朝下放入水热反应釜中，将FTO导电面朝下于140‑180℃水热反应2‑6h，反应结束后随炉冷却至室温，取出FTO冲洗后室温干燥，然后置于马弗炉中于500℃退火2h制得WO₃纳米片阵列；（3）将步骤（2）所得的WO₃纳米片阵列垂直浸入二价铜盐的乙醇溶液中反应0.5‑2h后取出，其中二价铜盐的乙醇溶液中Cu²⁺的摩尔浓度为30‑70mmol/L，室温干燥后置于马弗炉中于500℃退火2h制得CuWO₄/WO₃异质结构纳米片阵列薄膜。