[发明专利]一种提高DC/DC升压变换器转换效率的方法在审
| 申请号： | 201510961076.5 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105553262A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 黄胜明;黄鑫;冯多力 | 申请（专利权）人： | 苏州瑞铬优电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158 |
| 代理公司： | 无锡中瑞知识产权代理有限公司 32259 | 代理人： | 张玉平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张家港市凤凰*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种不会发生闩锁效应的提高DC/DC升压变换器转换效率的方法，除了原有的HS-LDMOS器件外，再增加一个面积很小的HS-LDMOS1器件，HS-LDMOS1的源极S1及栅极G1分别和HS-LDMOS的源极S及栅极G相连接；HS-LDMOS1的漏极D1则和N型深阱的欧姆接触区N+相连接，在这两个器件的体区(P-Body)到D1之间形成寄生二极管Diso；在HS-LDMOS的漏极D一侧N型外延层里紧靠N型深阱N+接触区的地方添加一个P+区，使之和N+接触区组成一个高压二极管HV-Diode。本发明主要应用于DC/DC升压变换器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 dc 升压 变换器 转换 效率 方法 | ||
【主权项】：
一种提高DC/DC升压变换器转换效率的方法，其步骤为：在DC/DC变换升压拓扑结构中的上端MOS器件采用N型的MOS或LDMOS器件，并将该N型的MOS或LDMOS器件动态隔离。
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