[发明专利]存储器的读取电路及其读取方法有效
申请号: | 201510963712.8 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN106898382B | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 汤天申;倪昊;罗光燕;陈永耀 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种存储器的读取电路及其读取方法,用于读取并输出存储单元的电位,读取电路包括第一晶体管、锁存电路以及复位电路。在对存储单元进行读取的过程中,复位电路对锁存电路进行复位,将第二节点的电压拉低,使得第一节点的电位为高电位,对第一节点和第二节点的状态进行复位。接着,将复位电路关闭,锁存电路随即对存储单元进行读取,根据第一晶体管的漏极电流与存储单元的电流的关系,第一节点读取存储单元的状态,从而锁存电路将存储单元的状态输出。本发明中,锁存电路包括第一反相器和第二反相器,从而静态功耗小,并且,在读取方法中,复位电路先对锁存电路进行复位,保证输出的准确。 | ||
搜索关键词: | 存储器 读取 电路 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种存储器的读取电路,用于读取并输出所述存储器中存储单元的电位,其特征在于,包括;第一晶体管,所述第一晶体管的栅极连接一偏置电压,源极连接一第一电源端;锁存电路,连接于第一节点与第二节点之间,所述第一节点连接所述存储单元,所述锁存电路包括第一反相器和第二反相器,所述第一反相器的输入端连接所述第一节点,输出端连接所述第二节点,且所述第一反相器还连接所述第一晶体管的漏极以及一第二电源端,所述第二反相器的输入端连接所述第二节点,输出端连接所述第一节点,且所述第二反相器还连接所述第一电源端和所述第二电源端;复位电路,所述复位电路连接所述第二节点。
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